SRAM DRAM 区别

2021年11月11日 3点热度 0条评论 来源: beikezhouxue

 
一个DRAM存储单元大约需要一个晶体管和一个电容(不包括行读出放大器等),而一个SRAM存储单元大约需要六个晶体管。DRAMSDRAM由于实现工艺问题,容量较SRAM大,但是读写速度不如SRAM
但是读写速度不如SRAM, 


内存(即随机存贮器RAM)可分为静态随机存储器SRAM,和动态随机存储器DRAM两种。我们经常说的内存是指DRAM。而SRAM大家却接触的很少。 
DRAM,动态随机存取存储器,dram用了一个t和一个rc电路,导致电容毁漏电和缓慢放电。所以需要经常的刷新来保持数据 ,而且是行列地址复用的,许多都有页模式。 
SRAMStatic Random Access Memory的缩写,中文含义为静态随机访问存储器,它是一种类型的半导体存储器。静态是指只要不掉电,存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAMDRAM)不同,DRAM需要进行周期性的刷新操作。 然后,我们不应将SRAM与只读存储器(ROM)和Flash Memory相混淆,因为SRAM是一种易失性存储器,它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。随机访问是指存储器的内容可以以任何顺序访问,而不管前一次访问的是哪一个位置
SRAM其实是一种非常重要的存储器,它的用途广泛。SRAM的速度非常快,在快速读取和刷新时能够保
持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相同容量的SRAMDRAM的成本高的多。正因为如此,才使其发展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAM

但是现在,SDRAM的速度也已经很快了,时钟好像已经有 150兆的了。那么就是读写周期小于10ns了。


 

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